AMAT Centura HTF EPI 外延沉积参数

设备基本配置

系统类型：单晶圆多腔室集群工具，支持 5"/6"/8"(125-200mm) 晶圆

典型配置：3 个常压外延 (ATM EPI) 腔室 + 1 个冷却腔室

加热方式：辐射加热 (卤素灯)，温度精确控制

控制软件：通常为 B6.30 CB1 版本

关键工艺参数

1. 温度参数

沉积温度：1000-1200°C（典型值 1050°C 以上）

温度均匀性：极高（<1% 变化），通过独立控制上、下加热灯实现

温度控制：三个区域 (中心、边缘、背面) 独立热电偶监控与调节

2. 压力参数

ATM 模式：常压 (760 Torr)，适用于厚外延层沉积

RP 模式：低压 (1-100 Torr)，适用于自掺杂敏感工艺

压力稳定性：±0.1%，确保沉积均匀性

3. 气体参数

主要气源：

硅源：三氯硅烷 (TCS, SiHCl₃)（ATM 模式）或二氯硅烷 (DCS, SiH₂Cl₂)（RP 模式）

载气：氢气 (H₂)，纯度 > 99.999%

典型流量范围：

TCS 流量：50-500 sccm（根据沉积速率和厚度调整）

H₂流量：500-5000 sccm（通常为 TCS 流量的 10 倍以上）

特殊配置：300mm 晶圆添加侧面二次 TCS 流 (X 流)，提高均匀性